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金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) | Infineon 分立器件
MOSFET
汽車MOSFET
功率MOSFET
RF MOSFET
英飛凌的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），用于放大或快速切換的范圍廣泛的電子信號(hào)。 在數(shù)字電路和模擬電路MOSFET無(wú)疑是最widley的的半導(dǎo)體器件。 這種情況的原因是由于MOSFET的損耗低和成本效益的實(shí)施，導(dǎo)致大批量的生產(chǎn)的高功率密度。
汽車MOSFET
英飛凌的OptiMOS結(jié)合了領(lǐng)先的MOSFET技術(shù)，具有強(qiáng)大的軟件包，提供最好的一流的性能和出色的電流容量。 現(xiàn)在汽車合格的MOSFET封裝有更高的電流容量感謝我們的PowerBond技術(shù)。
英飛凌的汽車MOSFET的主要優(yōu)點(diǎn)：
最佳的一流的RDS（on）性能，提高系統(tǒng)效率
最大電流DPAK + D2PAK市場(chǎng)上的ECU模塊尺寸降低
最低的開關(guān)和導(dǎo)通功率損耗，提高熱系統(tǒng)的可靠性
強(qiáng)大的綠色包裝簡(jiǎn)單的過程，處理
功率MOSFET -功率密度為下一步的能效水平
在我們的功率MOSFET產(chǎn)品組合，我們提供的OptiMOS謖CoolMOS
OptiMOS
我們的OptiMOS鼡蝒MOSFET樹立了新的標(biāo)準(zhǔn)，提供了業(yè)界最低的RDS（on）和品質(zhì)因數(shù)（FOM）從30V到250V的電壓等級(jí)。 國(guó)家的最先進(jìn)的工藝技術(shù)的高性能封裝的OptiMOS產(chǎn)品組合是正確的適合于許多工業(yè)應(yīng)用中。
英飛凌的功率MOSFET的主要優(yōu)點(diǎn)：
最高功率密度最低的導(dǎo)通損耗，并減少需要的設(shè)備并聯(lián)
節(jié)約成本，由于更小的散熱器
節(jié)省電路板空間達(dá)50％
DC電流高達(dá)180A每臺(tái)設(shè)備的CanPAKTM，100A在SuperS08和40A的S308包
高電流能力為電機(jī)控制應(yīng)用
極低的通態(tài)電阻和高電流能力高達(dá)180A D2PAK-7PIN版
CoolMOSC6/E6
第六代高電壓功率MOSFET，英飛凌的CoolMOSC6/E6 MOSFET系列，將我們的經(jīng)驗(yàn)，作為領(lǐng)先SJ MOSFET制造商，擁有突出的創(chuàng)新。 其結(jié)果是，C6/E6器件提供一個(gè)快速開關(guān)SJ MOSFET的所有特性。 同時(shí)使用的方便性被維持。
C6/E6 MOSFET的特點(diǎn)是其低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，并能夠使開關(guān)應(yīng)用更高效，更緊湊，重量更輕，冷卻器。 此外，C6/E6 MOSFET系列英飛凌提供了最佳的成本/性能比今天的MOSFET市場(chǎng)。
英飛凌MOSFET的特點(diǎn) - 的CoolMOSC6/E6
輕松控制的開關(guān)行為
更好的輕負(fù)載效率比C3
出色的可靠性與經(jīng)過驗(yàn)證的CoolMOS萡質(zhì)量結(jié)合體二極管的耐用性高
更好的價(jià)格性能比以前的CoolMOS這幾代
更高效，更緊湊，重量更輕，冷卻器
擴(kuò)展了解：用于熒光燈鎮(zhèn)流器的智能鎮(zhèn)流器控制芯片 | 用于普通照明系統(tǒng)的LED驅(qū)動(dòng)器 | 車載LED驅(qū)動(dòng)器 | 隔離式LED驅(qū)動(dòng) | 音頻功放IC | 高壓隔離驅(qū)動(dòng)芯片 |
英飛凌官網(wǎng)發(fā)布的行業(yè)動(dòng)態(tài)（2026年1月24日更新）
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英飛凌（Infineon）除了在功率半導(dǎo)體和安全控制器方面已經(jīng)處于領(lǐng)先地位外，Infineon現(xiàn)在也是汽車市場(chǎng)的第一大芯片供應(yīng)商
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